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应用材料公司推出用于先进存储器和逻辑芯片的

Sym3® Y专为3D NAND、DRAM和代工厂逻辑节点中的关键导体刻蚀利用而打造

这一最新系统为公司历史上最迅速大年夜量攻克市场的产品扩大年夜了利用范围

里程碑杀青:Sym3反映腔出货量达到5000台

加利福尼亚州圣克拉拉——利用材料公司本日发布为其大年夜得成功的Centris®Sym3®刻蚀产品系列再添新成员。现在,该系列产品能让芯片制造商在尖端存储器逻辑芯片上以加倍精细的尺寸成像和成型

利用材料公司的Centris® Sym3® Y刻蚀系统能让芯片制造商在尖端存储器和逻辑芯片上以加倍精细的尺寸成像和成型

新型Centris Sym3® Y是利用材料公司最先辈的导体刻蚀系统。该系统采纳立异射频脉冲技巧为客户供给极高的材料选择性、深度节制和剖面节制,使之能够在3D NAND、DRAM和逻辑节点(包括FinFET和新兴的萦绕栅极架构)创建密集排列的高妙宽比布局。

Sym3系列成功的关键在于其奇绝技巧特性:高电导反映腔架构能够供给特殊的刻蚀剖面节制,快速有效地排出每次晶圆工艺孕育发生的刻蚀副产物。Sym3 Y系统采纳保护关键腔体组件的专有新型涂层材料,扩大年夜了该成功架构的上风,从而进一步削减缺陷并前进良率。

Sym3刻蚀系统于2015年头?年月次推出,如今已成为利用材料公司历史上最迅速大年夜量攻克市场的产品。时至今日,Sym3反映腔出货量达到了5000台大年夜关。

利用材料公司的计谋是为客户供给全新的材料成型和成像措施,以实现新型3D布局并开辟继承进行2D微缩的新道路,而Sym3系列恰是实现这一计谋的关键产品。利用材料公司采纳独特的化学气相沉积(CVD)镀膜技巧对Sym3系统进行协同优化,让客户能够增添3D NAND内存器件中的层数,并削减DRAM制造中四重成型所需的步骤数。利用材料公司会将上述技巧与其电子束检测和检察技巧一同支配,以加快研发并大年夜规模实现行业最先辈节点的产量爬坡,从而赞助客户改良芯片功耗、增强芯片机能、低落单位面积资源并加快上市光阴(PPACt)。

利用材料公司半导体产品奇迹部副总裁兼总经理Mukund Srinivasan博士表示:“利用材料公司在2015年推出Sym3系统时采纳了全新措施进行导体刻蚀,并办理了3D NAND和DRAM中一些最棘手的刻蚀难题。本日,在最先辈的存储器和代工厂逻辑节点中,关键刻蚀和极紫外(EUV图形化利用出现出强劲的成长势头和增长。未来,我们将继承进级并助力业界向下一代芯片设计演进。”

每个Sym3 Y系统均包括多个刻蚀和等离子洁净晶圆工艺反映腔,并由智能系统节制可确保每个反映腔都拥有同等的机能,从而实现稳定的工艺和高临盆力。举世多家领先的NAND、DRAM和代工厂逻辑节点客户都在应用这一新系统。

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